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英诺赛科IPO:氮化镓功率半导体全球排名第一市场占有率超三成
来源:Thermistor Quartz Crystal    发布时间:2024-07-22 12:00:19

  6月12日,英诺赛科(苏州)科技股份有限公司(以下简称“英诺赛科”)向港交所递交上市申请,联席保荐人为中金公司、招银国际。

  招股书显示,英诺赛科致力于氮化镓功率半导体行业及生态系统的创新,是全球首家实现量产8英吋硅基氮化镓晶圆的公司,亦是全球唯一具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体产品的公司,公司业务包括设计、开发及生产若干类型的氮化镓产品,包括分立器件、集成电路、晶圆及模组。

  根据弗若斯特沙利文的资料,按收入计,英诺赛科于2023年在全球所有氮化镓功率半导体公司中排名第一,按收入计市场占有率为33.7%。可再次生产的能源和运算密集型应用的兴起一直在改变世界,该趋势导致对更高效更具经济效益的功率半导体产品的需求激增。氮化镓是一种具有高频率和低导通电阻的宽带隙半导体材料,已成为功率半导体行业持续变革的核心。

  截至2023年12月31日,英诺赛科拥有全球最大的氮化镓功率半导体生产基地,产能达到每月10,000片晶圆。该能力使英诺赛科能够以稳定的供应抓住一直增长的市场机会,从而培养客户的信心。相较于6英吋硅基氮化镓晶圆,先进的量产技术亦使晶圆晶粒产出数增加80%,单一器件成本降低30%,展示英诺赛科在氮化镓产品持续创新及商业化方面的强大成本优势和领导地位。

  截至2023年12月31日,英诺赛科在全球有约700项专利及专利申请,涵盖芯片设计、器件结构、晶圆制造、封装及可靠性测试等关键领域。通过与多个行业的知名客户紧密合作,率先推出创新产品并提供独特价值,率先扩大了氮化镓产品的应用场景范围。凭借英诺赛科在氮化镓技术方面的全面专业相关知识,英诺赛科设计、开发及制造提供不同封装选择的高性能及可靠的氮化镓分立器件,用在所有低中高压应用场景,产品研制范围覆盖15V至1,200V。

  英诺赛科2023年收入为5.93亿元,占氮化镓功率半导体行业市场占有率的33.7%。其氮化镓产品在各应用领域获得客户的认可,使其往绩记录期间实现强劲的收入增长,收入由2021年6822万元增加99.7%至2022年的1.36亿元,并进一步增加335.2%至2023年的5.93亿元。

  2021年、2022年及2023年,英诺赛科净亏损分别为33.99亿元、22.05亿元及11.02亿元。经调整净亏损(非香港财务报告准则计量)通过加回就发行予投资者的金融工具确认的负债账面值变动及以权益结算以股份基础的付款开支做调整,于2021年、2022年及2023年分别为10.81亿元、12.77亿元及10.16亿元。

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