，即在集成电路中绝缘性场效应管。MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体，确切的说，这一个姓名描绘了集成电路中MOS管的结构，即：在必定结构的半导体器材上，加上二氧化硅和金属，构成栅极。MOS管的source和drain是能够对调的，都是在P型backgate中构成的N型区。在大都情况下，两个区是相同的，即便两头对调也不可能影响器材的功能,这样的器材被认为是对称的。
MOS管的内部结构如下图所示;其导通时只需一种极性的载流子(多子)参加导电，是单极型晶体管。导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大差异，小功率MOS管是横向导电器材，功率MOSFET大都选用笔直导电结构，又称为VMOSFET，大幅度的提升了MOSFET器材的耐压和耐电流才能。
其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有极高的输入电阻，该管导通时在两个高浓度n分散区间构成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只需栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道发生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压(栅源电压为零)时，就有导电沟道发生的n沟道MOS管。
关于共源极接法的电路，源极和衬底之间被二氧化硅绝缘层阻隔，所以栅极电流为0。
MOS管作为开关元件，同样是作业在截止或导通两种情况。因为MOS管是电压操控元件，所以主要由栅源电压uGS决议其作业情况。下面以NMOS管为例介绍其特性。
NMOS的特性，Vgs大于必定的值就会导通，合适用于源极接地时的情况(低端驱动)，只需栅极电压到达4V或10V就能够了。
PMOS的特性，Vgs小于必定的值就会导通，合适用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。可是，尽管PMOS能够很方便地用作高端驱动，但因为导通电阻大，价格贵，替换品种少等原因，在高端驱动中，一般仍是用NMOS。
MOS管的作业原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是使用VGS来操控“感应电荷”的多少，以改动由这些“感应电荷”构成的导电沟道的情况，然后到达操控漏极电流的意图。在制作管子时，经过工艺使绝缘层中呈现很多正离子，故在接壤面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，构成了导电沟道，即便在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改动时，沟道内被感应的电荷量也改动，导电沟道的宽窄也随之而变，因此漏极电流ID跟着栅极电压的改变而改变。
按沟道资料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种;按导电方法：MOS管又分耗尽型与增强型，所以MOS场效应晶体管分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。
MOS管最明显的特性是开关特性好，所以被大范围的应用在需求电子开关的电路中，常见的如开关电源和马达驱动，也有照明调光。并且由MOS管构成的CMOS传感器为相机供给了渐渐的升高的画质，成果了更多的“摄影家”。
