唐芯微电子(Infix-IP)Altera Stratix IV 530/820 FPGA单颗（MB3100-A5/8）和双颗（D-MB3100A）原型验证平台半年来在用户项目使用中，从性能、价格、稳定性来说已得到了用户的很高评价，当然，唐芯微人还是不失抓住每一次售后机会，把握用户提出的问题和建议，配合用户完成项目的同时对这款产品做一次次优化修正，不但用户对唐芯微电子售后服务有了更进一步体会，而且几项技术成果的突破也让用户刮目相看。 比如，在这一定要再提一下的是，经过唐芯微(Infix-IP)研发人员不断在板间来优化工作，此前高速接插件主频运行超乎寻常的速度达到甚至大于250MHZ，成为国内目前主频
根据集邦科技(DRAMeXchange)，全球第一内存模块大厂金士顿，在七月底调涨DDR2 2GB售价由20美元调整至23.5美元，8月10日最新官价为26.5美元，金士顿调涨模块售价也同步带动现货市场行情报价，DDR2 800Mhz 1Gb自七月中旬由1.10美元上涨至目前为1.45美元，涨幅达32%，DDR2 1Gb eTT从7月15日1.05美元上涨至1.44美元，涨幅达37%，DDR3 1333Mhz 1Gb自7月15日1.65美元上涨至2.12美元，涨幅约30%。 依据市场访查，六月底时，金士顿一举将2GB售价自23美元调降至20美元，主要是在刺激销售，调降库存。同时也对DDR2 后势看弱，但在七月份，计算
在英特尔下一代处理器将支援新世代记忆体DDR4 DRAM下，包括三星、美光及海力士及相关模组厂，近期也相继导入DDR4 DRAM试产行动，业者强调，DDR 4 DRAM因功耗低，运算速度更快，且支援矽钻孔（TSV）3D IC设计，预料明年可望成为伺服器新宠。 DRAM业者表示，和DD3 DRAM比较，DDR4未来功耗将远低于1.2伏特，比现在的DDR 3 1.5伏特更低，而资料转换率每秒更达3.2Gb，同时具备16个族群，远比DDR3的资料转换率每秒2.13Gb、8个族群，资料处理速度更快且频宽更宽。 不过，主导半导体技术标准的JEDEC，此次对未针对DDR4DRAM提出如DDR3 DRAM般公板设计，导致记忆体模组厂
SK海力士 近日悄然在其产品目录中增加了16Gb(2GB)容量的单Die DDR4 内存颗粒，不但可以使用更少的芯片打造大容量内存条，还为单条256GB内存条铺平了道路。下面就随网络通信小编共同来了解一下相关联的内容吧。 16Gb乃至是32Gb DDR4 颗粒实际上并不罕见， SK海力士 等早都有了，不过是用两颗或者四颗8Gb Die堆叠而成的，再造出16GB、32GB内存条。 但是，如此密集堆叠的内存颗粒和内存条十分复杂，比如64GB LRDIMM条子需要设置为四个Rank，128GB的更得八个Rank，结果导致延迟非常高， DDR4 -2400/2666的要达到CL20/22。 SK海力士搞定单Die
DDR5内存满足未来内容创作、发布和消费的更加高的要求 在过去的十年时间里，随着程序与应用、数据集与复杂代码，以及3D模型渲染、8K视频编辑和高帧速率游戏等领域的空前发展，DDR4技术已不堪重负，难以跟上行业发展步伐。随着CPU内核数量的持续不断的增加，为了应对这些海量需求，内存技术也要进一步扩展。下一代系统中的DDR5内存是实现当前所需性能的最佳解决方案，同时能进一步扩展，以满足未来内容创作、内容发布和内容消费的更加高的要求。 内容创作 内容创作者受到了DDR4技术的限制，因为他们的高性能工作台消耗了增加的内存密度或内存带宽。等待时间延长导致效率降低，甚至没有办法进行多任务处理。而DDR5内存能够大幅度提高带宽。跟着时间的推移，最终
DDR 1&2&3总线概览 DDR全名为Double Data Rate SDRAM ，简称为DDR。现在DDR技术已发展到了DDR 3，理论上速度能支持到1600MT/s。DDR总线走线数量多，速度快，操作复杂，探测困难，给测试和分析带来了巨大的挑战。 DDR 本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRAM的两倍。至于地址与控制信号则与传统SDRAM相同，仍在时钟上升沿进行数据判断。 目前，许多计算机使用时钟频率为533MHz的DDR2内存,更先进的DDR2内存正在日益普及，它的时钟频率在400 MHz-800 MHz之间，新的DDR3内存的时钟
1&2&3信号完整性测试分析技术探析 /
三星电子今日宣布已从本月起开始正式量产采用20纳米制程技术的世界最小型4Gb DDR3 DRAM。 三星电子利用现有的ArF浸入式光刻机，克服了20纳米DRAM微细化的技术限制，开创了内存存储器制造技术的新纪元。NAND闪存的基本存储单元由一个晶体管构成，而DRAM则由一个电容器和一个晶体管串联构成，因此后者更难实现制程技术的微细化。然而，三星电子通过对芯片设计和制程技术的改良，创新性地研发出“改良版双重照片曝光技术(Modified Double Patterning)”和“超薄介电层成型技术(Atomic layer deposition)”，顺利实现了20纳米4Gb DDR3 DRAM的量产。 “改良
据市调公司DRAMeXchange报告，受到DDR2量产初期工艺问题及成本居高不下，导致DDR2进军PC市场时程延宕等因素影响，新一代DDR3内存在PC市场成为主流的时程也将延后，预计2009年才有机会成为市场主流。 该机构指出，2005年第四季，DDR2产出量比例仅30%，预估2006第二季才会超越50%。若以此推估DDR3的进度，预期2006年下半年才会有更多DRAM厂进入工程样品阶段，2007年下半年开始小量试产，至少2008年底才有机会达到30%的比例，预计2009年才有机会成为主流。 以规格来看，目前DDR3的详细规格仍未完全确定，但具体设计上与DDR2的基本结构并无太大不同。由于未来内存传输速度逐步的提升，因
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电动机的过载保护指的是在电机承受超过其额定负载时，通过一系列保护的方法保护电动机的安全运行。电动机有多种过载保护方法，其中最常见的方 ...
变频器是一种电力调节设备，它根据负载需求调整电力频率，以实现对电动机速度的精确控制。在使用变频器的过程中，正确的接线和配线是非常重 ...
电动机绝缘电阻的降低可能有多种原因，包括外因、材料老化、机械损伤、温度过高、潮湿等。要提高电动机的绝缘电阻，可以从以下几个方面 ...
在什么情况下应测量电动机的绝缘电阻？电动机的绝缘电阻是指电机在允许电压下不导电的材料的绝缘性能。它是一个重要的参数，用来评估电机绝缘系统的健康情况 ...
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