新华社成都12月4日电（记者吴晓颖）记者4日从电子科技大学得悉，我国科学院院士、电子科技大学教授陈星弼因病医治无效，于4日17时10分在成都去世，享年89岁。
陈星弼1931年1月28日出生于上海，本籍浙江浦江。1952年从同济大学电机系结业后，他先后在厦门大学、东南大学和成都电讯工程学院（现电子科技大学）作业。1999年当选为我国科学院院士，2019年当选为世界电气与电子工程师协会终身会士。
陈星弼是我国功率半导体范畴的带路人和集大成者。他终身宣布学术论文200余篇，取得中美等国专利授权40余项。他是世界上首个提出超结耐压层理论的科学家，他的超结发明专利打破传统“硅极限”，被世界学术界称为“高压功率器材新的里程碑”。
陈星弼曾取得国家技能发明奖、科技进步奖等许多荣誉，2015年取得IEEE ISPSD（世界功率半导体器材与集成电路年会）颁布的最高荣誉“世界功率半导体前驱奖”，成为亚太地区首位获此荣誉的科学家。2018年当选IEEE ISPSD首届名人堂，成为首位当选名人堂的华人科学家。
