近日，英诺赛科(苏州)科技股份有限公司，正式申请赴港上市，开启发展新篇章。作为全世界功率半导体的革命者、领导者，以及全球最大的氮化镓芯片制造企业，英诺赛科凭借其在技术上的一马当先的优势和产能上的规模优势，有能力快速响应市场变化，满足一直增长的市场需求，把握新一代半导体材料——氮化镓的市场发展机遇，此次赴港上市，公司有望借力国际长期资金市场，进一步巩固其行业领先地位。
近年来，基于卓越的性能和广阔的应用前景，“第三代半导体”受到市场的广泛关注。第三代半导体主要指的是宽禁带半导体材料，最重要的包含碳化硅和氮化镓。相比第一、第二代半导体材料，“第三代半导体”材料具备高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度和高迁移率等特点，这使得“第三代半导体”在高频、耐高压、耐高温和抗辐射等方面展现出优越的性能，在新能源车、光伏、风电、5G通信等新兴技术领域中具有巨大的应用潜力和市场需求。
其中，氮化镓作为“第三代半导体”的代表性材料，自2019年10月，氮化镓技术首次应用于充电器以来，基于氮化镓材料而研制的功率器件，凭借更高的电流密度、迁移率以及优秀的耐热性、导电性和散热性，在诸多应用领域持续开疆拓土、发挥关键作用。此外，氮化镓功率半导体芯片能够大大降低电源的能量损耗，提升能源转换效率，降低系统成本，并实现更小的设备尺寸，已成为众多新兴领域持续变革的核心。
随着氮化镓技术的成熟以及下游应用的逐步释放，尤其是近几年全球新能源汽车、风电、光伏等产业的兴起，氮化镓功率半导体行业迎来蓬勃的市场机遇。据弗若斯特沙利文数据，氮化镓功率半导体行业规模由2019年的人民币1.394亿元迅速增加至2023年的人民币18亿元，复合年增长率为88.5%，占全球功率半导体市场的比例将提升至10.1%。
同时，沙利文预测，2023年是氮化镓产业开启指数级增长的元年，后续将以98.5%的复合年增长率加速增长，由2024年的人民币32.28亿元增长至2028年的人民币501.42亿元，并认为消费电子、可再次生产的能源、新能源汽车和数据中心等细分市场将展现出良好的增长潜力。
自成立以来，英诺赛科一直深耕功率半导体领域，并走在全球技术前沿，引领第三代半导体的创新与应用。凭借强大的技术实力和领先的量产能力，英诺赛科慢慢的变成了氮化镓功率半导体产品的全球领导者，已连续两年入选胡润研究院《全球独角兽榜》。
依托坚持不懈的创新与技术积淀，英诺赛科在氮化镓应用的多个子领域取得突破，并成为唯一一家与全球主要公司做供应合作的中国氮化镓半导体芯片公司。目前英诺赛科的氮化镓产品已经涵盖分立器件、集成电路、晶圆及模组，大范围的应用于消费电子、可再次生产的能源及工业应用、汽车电子及数据中心等多个领域。
与此同时，企业具有业内最先进的量产技术能力，在规模化、可靠性与成本上具备强大优势，成为全世界最大的氮化镓功率半导体生产企业。凭借其强大的8英寸硅基氮化镓晶圆生产技术，公司已突破每月10,000片晶圆的生产瓶颈，晶圆生产良率超过95%。
根据招股书信息，截至2023年12月31日，英诺赛科氮化镓分立器件累计出货量超过5亿颗，是全球氮化镓出货量最大企业，市占率达42.4%。若按收入计，2023年公司在全球氮化镓功率器件半导体市场的份额为33.7%，排名仍为第一。
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