发布公告，公司与厦门市相关国资公司签署了《8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目之投资合作协议》，双方合作在厦门市海沧区合资经营项目公司“厦门士兰集宏有限公司”，建设一条以SiC-MOSEFET为基本的产品的8英寸SiC功率器件芯片制造生产线万片/月。项目分两期建设，一期投资规模约为70亿元，二期投资规模约为50亿元。
历经多年磨底，周期底部扩张正当时。据了解，SiC是目前发展最成熟的宽禁带半导体材料，近几年来得到慢慢的变多的商业化应用，在光伏、风电、电动汽车及轨道交通等中高功率电力系统应用上具有巨大的优势。业内人士指出，本次投资有望进一步打开成长空间，夯实士兰微长期高水平发展根基。
是以碳化硅SiC、氮化镓GaN为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。材料已被认为是当今电子产业高质量发展的新动力。以第三代半导体的典型代表（SiC）为例，具有高临界磁场、高电子饱和速度与极高热导率等特点，使得其器件适用于高频高温的应用场景，相较于硅器件，碳化硅器件可以明显降低开关损耗，主要被用于制作高速、高频、大功率及发光电子元器件，下游应用领域包括智能电网、新能源汽车、光伏风电、5G通信等。
根据 Yole 数据，2021 年车和光伏应用领域占全球碳化硅市场的 77%，预计 2027年这一比例将达到 86%，按照市场占比以 1.9%的年均复合增长率提升，2025 年车和光伏应用领域占全球碳化硅器件市场的 83%，以两者碳化硅市场空间反推可得 2025 年全球碳化硅器件市场空间达 627.8 亿元，碳化硅衬底市场空间达 188.4 亿元，6 英寸碳化硅衬底需求量为 495 万片。
A股市场上第三代半导体概念股合计有16只，大部分个股业绩有望高增长。根据机构一致预测，士兰微今年、明年、2026年净利增速分别达到971.32 %、79.73%和 50.66%，三年增速均值超367%，高居板块第一位。
本次投资有望进一步打开士兰微成长空间，夯实士兰微长期高水平质量的发展根基。根据公告，该项目建设完成后，将在厦门市海沧区形成8英寸碳化硅功率器件芯片月产6万片的生产能力。各方通过项目实施，结合各方的优势，将项目公司建成一家符合国家集成电路产业高质量发展规划、开展以第三代半导体功率器件研发、制造和销售为主体业务的半导体公司，并具有国际化经营能力，以取得良好的经济、社会效益；支撑带动终端、系统、IC设计、装备、材料产业链上下游企业在厦门集聚，为中国集成电路产业高质量发展助力。
二级市场上士兰微筹码出现持续集中趋势。多个方面数据显示，去年下半年以来士兰微股东户数已连续3个季度环比下降，累计降幅超过10%。今年一季度公司股东户数环比一下子就下降6.4%，降幅创出多年来新高，显示出公司筹码大幅趋向集中的态势。
机构建仓趋势隐现。根据士兰微一季报，北上资金一季度大举增持超过1050万股，同期华泰柏瑞沪深300ETF基金新进重仓超826万股。
